Massachusetts Teknoloji Enstitüsü (MIT) araştırmacıları, silikon tabanlı teknolojinin sınırlarını aşarak enerji verimliliğini artıracak yeni bir transistör türü geliştirdi.
Akıllı telefonlardan otomobillere kadar elektronik cihazların temelini oluşturan silikon transistörler, ''Boltzmann tiranlığı'' olarak bilinen fiziksel bir sınırlama nedeniyle belirli bir voltajın altında çalışamıyor. Bu da özellikle yapay zeka gibi hızlı hesaplama gerektiren teknolojilerde enerji verimliliğini düşürüyor.
MIT bilim insanları, kuantum mekaniğinden yararlanarak ultra ince yarı iletken malzemelerden oluşan 3 boyutlu nanometre ölçekli transistörler ürettiklerini belirterek, ''Bu yeni transistörler, geleneksel silikon transistörlere kıyasla çok daha düşük voltajlarda çalışabiliyor ve aynı performansı sunarken enerji tüketimini önemli ölçüde azaltıyor'' dedi.
''KUANTUM TÜNELLEME''
Geliştirilen transistörlerin ''kuantum tünelleme' adı verilen bir olgu sayesinde elektronların enerji bariyerini aşmak yerine delmesini sağlayarak daha düşük voltajlarda çalışabildiğini anlatan bilim insanları, ayrıca, 'kuantum hapsi'' adı verilen bir diğer kuantum mekaniği prensibi ile elektronların hareketi kısıtlanarak transistörlerin performansının artırıldığını söyledi.
Araştırmacılar, ''MIT.nano'' tesisindeki gelişmiş araçları kullanarak çapı sadece 6 nanometre olan dikey nanotel heteroyapılar oluşturduklarını ifade ederek, ''Bu, bugüne kadar üretilen en küçük 3B transistörler olma özelliğini taşıyor'' dedi.
SONUÇLAR UMUT VERİCİ
Araştırmacılar, testlerde, yeni transistörlerin anahtarlama eğimi keskinliğinin, silikon transistörlerin fiziksel sınırının altında kaldığını ve benzer tünelleme transistörlerinden yaklaşık 20 kat daha iyi performans gösterdiğini bildirdi.
''Bu gelişme, daha hızlı, güçlü ve enerji tasarruflu elektronik cihazların önünü açabilir'' diyen araştırmacılar, üretim yöntemlerini geliştirerek ve transistörleri çip boyunca daha düzgün hale getirerek bu teknolojinin ticari olarak uygulanabilirliğini artırmayı hedeflediklerini belirtti.
